陶瓷覆銅 DPC
覆銅工程介紹
覆銅工程是將銅線路直接接合在陶瓷上的技術,在金屬與陶瓷的接合面上發生化學反應生,而實現陶瓷基板與銅板的結合。DPC基板由於同時具備銅的優良導電、導熱性能和陶瓷的機械強度高、低介電損耗的優點,所以在功率電子產品的封裝得到廣泛的應用。 覆銅工程不同於印刷電路板基板或金屬基板,大功率的電源功率半導體模塊的散熱絕緣基板會使用氧化鋁Al2O3、氮化鋁AlN、氮化矽Si3N4材質的基板。隨著HEV和EV車輛銷量的增加,IGBT逆變器/PIM/PIM轉換器/Mos Modules的電源模塊的用量則備受矚目,主要市場範圍包含工業設備、汽車、電力鐵路、可再生能源。
覆銅製程種類
產品規格
Item | LTCC | HTCC | DBC | DPC |
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熱傳導係數(W/mK) | 2-3 | 16-17 | Al2O3: 20-24 AlN: 130-200 |
Al2O3: 20-24 AlN: 170-220 |
操作環境溫度(°C) | 850-900 | 1300-1600 | 1060-1080 | 250-350 |
線路製程方式 | 厚膜印刷 | 厚膜印刷 | 微影製程 | 微影製程 |
線徑寬度(µm) | 150 | 150 | 150 | 10-50 |
製程 | DBC | AMB | DPC | 晶韻DPC | ||||
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通用材料 | 可 | Al2O3、AlN | 優 | Si3N4、AlN | 優 | Al2O3、AlN | 優 | Al2O3、AlN、Si3N4 |
熱傳導係數(W/mK) | 可 | 22-170 | 優 | 22-200 | 優 | 22-230 | 優 | 22-230 |
抗剝離強(N/mm) | 優 | 150 | 優 | 15 | 可 | N/A | 優 | 低應力銅 N/A |
耐電壓 (V) | 可 | >3000 | 可 | >3000 | 可 | N/A | 優 | 線間填膠 (+500V) |
線寬線距 (L/S) | 可 | >500µm | 可 | >500µm | 優 | >50µm | 優 | >50µm |
導通孔 (Via) | 差 | 機鑽+雷鑽 | 可 | 機鑽+雷鑽 | 優 | 雷鑽 | 優 | 雷鑽 |
抗剝離強(N/mm) | 優 | 成本低 | 可 | 成本高 | 可 | 成本高 | 可 | 成本高 |
晶韻DPC技術特點 1. 低應力銅可承受更高的製程溫度(>320°C)以及連續工作溫度(>220°C)。 2. 相同規格下的DPC,採用線間填膠可使耐電壓提高+500V。 |